Флеш память физически представляет собой массив транзисторов с плавающим затвором. Каждый такой транзистор называется ячейкой. Каждая из таких ячеек может хранить как один бит информации (память SLC – single-level cell), так и несколько (память MLC). Чипы с памятью типа SLC являются, как правило, дешевле в производстве.

Флеш память по своему логическому устройству бывает типа NOR и NAND.

NOR
Логическая схема: ИЛИ-НЕ – низкое напряжение обозначает 1. К каждой ячейке такой памяти подводится индивидуальный контакт. Таким образом, данная флеш память обладает свойством произвольного доступа, в отличие от памяти типа NAND.

NAND

Логическая схема: И-НЕ. Основное отличие от памяти типа NOR только одно: такая организация памяти не позволяет обратиться к произвольной ячейке – запись и стирание информации осуществляется блочно. Флеш память типа NAND более скоростная и дешевле в производстве. В настоящее время получила широкое распространение в бытовых устройствах: SSD, флешки, карты памяти и т.д.